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KMO

122535

配位化合物 配位數=4時如何判斷是平面四邊形還是四面體?

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發表時間:2013/6/16

如題
配位化合物 配位數=4時如何判斷是平面四邊形還是四面體?

是用判斷的還是用背的?
是用什麼方法判斷?
在網路上找資料好像都用大學的理論,看不懂...

謝謝!

隨行者

005010

Re:配位化合物 配位數=4時如何判斷是平面四邊形還是四面體?

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發表時間:2013/6/21

KMO

122535

Re:配位化合物 配位數=4時如何判斷是平面四邊形還是四面體?

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發表時間:2013/6/23

晶場論看不懂QQ

隨行者

005010

Re:配位化合物 配位數=4時如何判斷是平面四邊形還是四面體?

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發表時間:2013/6/24

晶場論僅提供參考

並不屬於高中的課程範圍喔

判斷XeF4的分子幾何的方法

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發表時間:2018/3/3

如果你會Formal Charge(形式電荷)跟VSEPR的話其實要判斷很簡單。
VSEPR高三會教,Formal Charge則是大一普化的內容。
例如NH3的氮有5個電子(3個鍵+1對孤對電子),形成NH4之後周圍只有4個電子,少一個,所以形式電荷是+1。
由於Formal Charge為0最穩定,所以Xe的鍵數跟孤對電子數總和應該要是8。Xe和4個F形成單鍵,就會剩兩對孤對電子,符合VSEPR的AX4E2形式,應為平面四邊形,或者也可以由sigma鍵數和電子對數目相加為6得知是VSEPR當中的sp3d2混成,也會判斷為平面四邊形。

Re:配位化合物CN=4時如何判斷是SP還是Td?

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發表時間:2018/3/3

中心金屬的d軌域在鍵結上配位基之後,能階會分裂,有的比較高,有的比較低。

晶場穩定能用高中生能懂的話來說就是,填在低的能階會穩定,填在高的能階會不穩定,而且隨著高低能階之間的差距越大,填在低能階時的穩定性會更大,填在高能階時的不穩定性也會更大。

平面四邊形的能階開裂:https://zh.wikipedia.org/wiki/File:Square_planar.png
四面體形的能階開裂:
https://zh.wikipedia.org/wiki/File:Tetrahedral.png

以8個d軌域電子的錯合物來說,平面四邊形時,因為dx2-y2到dxy之間的能量差距太大,所以電子不會填到高度不穩定的dx2-y2(填電子的"遞建原理"),而四面體形時,因為能階差太小(這個要背),所以5個能階都可以填電子,所以四面體形會是比較不穩定的。

另外可以背說,通常會是四面體形的錯合物的中心金屬電子組態是d0、d5、d10。d8金屬(高中常考Pt)經常是平面四邊形。

判斷配位化合物是SP還是Td

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發表時間:2018/3/3

中心金屬的d軌域在鍵結上配位基之後,能階會分裂,有的比較高,有的比較低。
晶場穩定能用高中生能懂的話來說就是,填在低的能階會穩定,填在高的能階會不穩定,而且隨著高低能階之間的差距越大,填在低能階時的穩定性會更大,填在高能階時的不穩定性也會更大。
平面四邊形的能階開裂:https://zh.wikipedia.org/wiki/File:Square_planar.png
四面體形的能階開裂:
https://zh.wikipedia.org/wiki/File:Tetrahedral.png
以8個d軌域電子的錯合物來說,平面四邊形時,因為dx2-y2到dxy之間的能量差距太大,所以電子不會填到高度不穩定的dx2-y2(填電子的"遞建原理"),而四面體形時,因為能階差太小(這個要背),所以5個能階都可以填電子,所以四面體形會是比較不穩定的。
另外可以背說,通常會是四面體形的錯合物的中心金屬電子組態是d0、d5、d10。d8金屬(高中常考Pt)經常是平面四邊形。

判斷配位化合物是SP還是Td

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發表時間:2018/3/3

中心金屬的d軌域在鍵結上配位基之後,能階會分裂,有的比較高,有的比較低。
晶場穩定能用高中生能懂的話來說就是,填在低的能階會穩定,填在高的能階會不穩定,而且隨著高低能階之間的差距越大,填在低能階時的穩定性會更大,填在高能階時的不穩定性也會更大。
以8個d軌域電子的錯合物來說,平面四邊形時,因為dx2-y2到dxy之間的能量差距太大,所以電子不會填到高度不穩定的dx2-y2(填電子的"遞建原理"),而四面體形時,因為能階差太小(這個要背),所以5個能階都可以填電子,所以四面體形會是比較不穩定的。
另外可以背說,通常會是四面體形的錯合物的中心金屬電子組態是d0、d5、d10。d8金屬(高中常考Pt)經常是平面四邊形。

Re:配位化合物配位數=4時如何判斷是平面四邊形還是四面體?

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發表時間:2018/3/3

中心金屬的d軌域在鍵結上配位基之後,能階會分裂,有的比較高,有的比較低。
晶場穩定能用高中生能懂的話來說就是,填在低的能階會穩定,填在高的能階會不穩定,而且隨著高低能階之間的差距越大,填在低能階時的穩定性會更大,填在高能階時的不穩定性也會更大。
以8個d軌域電子的錯合物來說,平面四邊形時,因為dx2-y2到dxy之間的能量差距太大,所以電子不會填到高度不穩定的dx2-y2(填電子的"遞建原理"),而四面體形時,因為能階差太小(這個要背),所以5個能階都可以填電子,所以四面體形會是比較不穩定的。
另外可以背說,通常會是四面體形的錯合物的中心金屬電子組態是d0、d5、d10。d8金屬(高中常考Pt)經常是平面四邊形。

Re:配位化合物配位數=4時如何判斷是平面四邊形還是四面體?

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發表時間:2018/3/3

中心金屬的d軌域在鍵結上配位基之後,能階會分裂,有的比較高,有的比較低。
晶場穩定能用高中生能懂的話來說就是,填在低的能階會穩定,填在高的能階會不穩定,而且隨著高低能階之間的差距越大,填在低能階時的穩定性會更大,填在高能階時的不穩定性也會更大。
以8個d軌域電子的錯合物來說,平面四邊形時,因為dx2-y2到dxy之間的能量差距太大,所以電子不會填到高度不穩定的dx2-y2(填電子的"遞建原理"),而四面體形時,因為能階差太小(這個要背),所以5個能階都可以填電子,所以四面體形會是比較不穩定的。
另外可以背說,通常會是四面體形的錯合物的中心金屬電子組態是d0、d5、d10。d8金屬(高中常考Pt)經常是平面四邊形。

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發表時間:2018/4/23

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發表時間:2018/10/21

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